1352个村落拟列入第六批中国传统村落名录，济南12个在列

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【本文要点】要点一：落拟列入落名录列InCl3后处理在In2S3表面生成InOClXPS结果表明：落拟列入落名录列经过InCl3处理样品的S2p峰强度急剧降低，意味着在In2S3 层上引入了一层薄薄的不含硫的材料。Cl3p与In5s和In5p之间存在显著杂化，批中能量区间为-7.0eV至0eV。

同时，统村该界面层有助于在电子传输层/吸收层界面处形成更有利的悬崖状能带排列，并抑制In2S3在潮湿空气中转化为In(OH)3。O1s是以约532.1eV为中心的主峰，济南归属于In2S3在大气环境下潮解产生的In(OH)3，济南InCl3后处理导致产生了一个额外的中心位于约530.0eV的新峰，可归属于InOCl中的晶格氧。【文章信息】新型宽带隙InOCl界面层钝化In2S3/Sb2(S,Se)3异质结太阳能电池界面缺陷第一作者：个村国传王长雪通讯作者：个村国传周儒*单位：合肥工业大学，牛津大学【研究背景】Sb2S3、Sb2Se3、Sb2(S,Se)3等锑基硫属化合物凭借其优异的材料和光电性能，如吸收系数高（~105 cm-1）、带隙可调（1.1-1.7eV）、原料丰富且环境友好、易于制备、材料稳定性优异等优点，在太阳能电池领域获得广泛关注。

因此，落拟列入落名录列通过界面工程有效修复缺陷对于构建高质量异质结以促进电荷分离和传输非常重要。In空位密度的降低将有助于抑制电荷复合、批中促进电荷传输。

高密度缺陷会在In2S3薄膜中引起严重的缺陷诱导电荷复合，统村特别是在电子传输层/吸收层界面处，从而限制In2S3基光电器件性能的提升。

通过有效的缺陷修复以显著抑制界面复合，济南基于In2S3/InOCl的Sb2(S,Se)3太阳能电池获得了5.20%的光电转换效率，济南是In2S3基锑硫属化物薄膜太阳能电池的最高效率。11月细分产品渗透率：个村国传UHD64%;大尺寸49%;智能90%;曲面7%、超轻薄6%。

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